Как-как, подбирать. берёшь кусок провода и обломок ш. и мотаешь и смотришь на осцил. Лучше контур конечно. Vortigont писал(а): Кто-нибудь дайте уже схему Е-класса на 555, чтобы ничего не грелось, нагрузка - строчник. Врядли схема поможет. Это не такая хуйня что копипастить можно. Добавлено: Thu May 03, 2012 1:14 am |
Shad писал(а): Кстати, как рассчитывать дроссель последовательно первичке? Начальная индуктивность дросселя берется такой, чтобы резонансная частота последовательного контура, образованного этим дросселем и емкостью, шунтирующей ключ (которая 2uF), была приблизительна равна резонансной частоте нагрузки. Затем помаленьку отматываете (двигаете витки для ВЧ или меняете зазор для СЧ-НЧ, если броник или шашка) и смотрите на осциллографе сигнал сток-исток. Пока не получится характерный "колокольчик" с нулем напряжения и нулем его производной (наклона кривой) справа (перед включением ключа). Желательно, при этом, еще иметь возможность слегка подстраивать частоту задающего генератора. Добавлено: Thu May 03, 2012 4:34 am |
интересная статья, т.к. связана именно с построением генератора класса Е для индукционного нагрева: "A novel class E RF self-oscillating topology for induction heating applications" [06020244.pdf]. Номиналов деталей нет, но при желании можно всё рассчитать. Добавлено: Fri May 04, 2012 11:23 pm |
нее, он про другое. Если отбирать с класса е на низкодобротную нагрузку с размазанной ачх, то необходимо фильтровать высшие гармоники. это делается вторым дросселем и конденсатором. Добавлено: Sat May 05, 2012 1:32 am |
Да. Работа неплохая. Кстати, номиналы C0 и Cs для стандартной плитки там есть. А остальное - уже мелочи. Но вот где в России сеть на 110 В найти?  А от нашей сети эта штука не будет работать в принципе. 
==================
Добавлено: Sat May 05, 2012 4:04 am |
ksv писал(а): Но вот где в России сеть на 110 В найти? Ты мну пугаешь. Чё страшного в разнице напруг?  Добавлено: Sat May 05, 2012 4:27 am |
В классе Е импульс напряжения исток-сток в 3.5 раза превышает напряжение питания инвертора. Это - в оптимальном режиме. Сеть 110В - дает постоянку 155 В. Амплитуда импульсов на ключе получается 155*3.5 = 540 В. 600-вольтовые MOSFET-ы или IGBT еще тянут. Хотя уже лучше брать на 900 В. А вот сеть 220 В дает уже 310 В постоянки. Т.е. амплитуда импульсов на ключе 310*3.5 = 1085 В. Нужен еще и запас пару сотен вольт. Уже только высоковольтные ключи. Они и по параметрам хуже и недешевы. Вот дождемся когда из карбида кремния ключи будут также распространены, как IRFP460. Вот тогда заживем!  Добавлено: Sat May 05, 2012 4:57 am |
продаётся и работает. на 1200вольтовом игбт. Добавлено: Sat May 05, 2012 7:44 am |
Только IGBT на 1200 вольт медленные шо песец. Едва до половины мегагерца дотянут. Добавлено: Sat May 05, 2012 7:47 am |
[ksv] я нашёл аналогичную статью и там есть расчёт всех элементов. Только там мощность меньше, но это мелочи. ksv писал(а): В классе Е импульс напряжения исток-сток в 3.5 раза превышает напряжение питания инвертора. Это - в оптимальном режиме. есть схемотехнические способы снизить это соотношение. Насколько я помню, там напряжение на ключе не больше, чем в 2,5 раза превышает напряжение питания (с запасом). Добавлено: Sat May 05, 2012 8:17 am |
Aleksandr Worf писал(а): Только IGBT на 1200 вольт медленные шо песец. Едва до половины мегагерца дотянут. Для IGBT пол-мегагерца - это круто! Я таких еще не встречал. А что за транзисторы? У меня из более-менее мощных высоковольтных есть только HGTG18N120BN. Но они на разумных токах вряд ли до сотни кГц доберутся... См. вложение. ===================== To neon. На вскидку ссылку сейчас не вспомню, но то что около 3.5 - точно. Вспомню - скажу. Да и сам неоднократно смотрел на моделях, да и в реале. Боюсь, тут (на одном транзисторе) природу не обманешь. Двоечка - это push-pull и обычный четверть мост. Поскольку для меня этот вопрос был критичен - специально обращал внимание. Поэтому и пошел в класс DE. Там этой беды нет. Добавлено: Sat May 05, 2012 8:40 am
|
[ksv] верно, соотношение составляет 3,562 при коэффициенте заполнения 50%. Дальше только на 2-х транзисторах и не обязательно это должна быть 2-х тактная схема. ksv писал(а): Для IGBT пол-мегагерца - это круто! Некоторые IGBT позволяют работать на высоких частотах (500 кГц). Как вариант использовать SiC-IGBT, которые практически не найти в продаже или они очень дорогие. Добавлено: Sat May 05, 2012 9:09 am |
Подтверждаю, в поющем Е при 12В питающего было в районе 40В амплитуды, в отсутствии модуляции. С модуляцией пиковое скакало вверх-вниз относительно этой точки (на осциллографе, тут после 1:30 мин). Добавлено: Sun May 06, 2012 4:20 pm |
Кстати, вот один из интересных вариантов снижения выбросов на ключе (до примерно двоечки) - класс фи (Class Ф). Добавлено: Mon May 07, 2012 4:31 am
A high-frequency resonant inverter topology with low voltage stress.pdf (1.22 Мб) |
Кстати, Shad. В последней статье приводится модельная осцилограмма, прямо как ты выкладывал недавно ( в статье - Fig.8 ). Я так понимаю, что это от паразитных параметров монтажа? Добавлено: Mon May 07, 2012 9:56 am |
Ех, ну почему же вся информация на английском, в котором я так не силен. А вот у меня всё очень криво настроено, амплитуда равна питающему напряжению. Добавлено: Mon May 07, 2012 10:09 am |
А в чем проблема? Берешь текст со страницы.. 2710 что-ли. Копируешь в гугель-транслейт и читаешь, глядя параллельно на буржуйскую версию. Добавлено: Mon May 07, 2012 10:17 am |
Ден, касаемо твоего вопроса. Проблема в 555. На выходе у неё какая-то гадость твориться. Придется ставить диод Шотки между затвором и минусом, как сифун говорил. И вообще, там уже не меандр. Надо сделать новый задающий ген на 555. Добавил дроссель последовательно первичке(5 витков на совковом ферите) и сигнал стал похож на полусинус, но и амплитуда упала. Надо всё это настраивать, а у меня нифига не получается. Добавлено: Mon May 07, 2012 11:02 am
|
[ksv] я видел данные статьи, но не стал о них писать, т.к. это модификация классов Е + F (выделили в отдельный класс). Этот бы освоить в полной мере 
Вот статьи, которые стояли в основе: "High-Efficiency Class E, EF2, and E/F3 Inverters" (Kaczmarczyk, Z.) [01705650.pdf] "New Architectures for Radio-Frequency DC–DC Power Conversion" (Juan M. Rivas, Riad S. Wahby, John S. Shafran, and David J. Perreault) [01603670.pdf] "Radio-frequency inverters with transmission-line input networks" (Phinney, J.W.; Perreault, D.J.; Lang, J.H.) [01712260.pdf] и ещё десятки различных статей по различным модификациям
[Shad] сигнал с задающего генератора далёк от нормального. Добавлено: Mon May 07, 2012 11:11 am 01705650.pdf (446.84 Кб) 01603670.pdf (1.04 Мб) |
neon, хотелось бы знать, откуда такая кривизна появляется. Добавлено: Mon May 07, 2012 12:29 pm |
[Shad] честно, я с таймером 555 не работал вообще. Может быть проще взять и сделать генератор на логике? Знакомая картинка на рис.? "а" - это U между затвором и истоком транзистора (синусоидальное с искажениями), "с" - U между стоком и истоком транзистора (холостой ход). Если сигнал на затворе "b" нормальный (без искажений), то и U сток-исток "e" тоже без паразитных колебаний (нормальный режим). У тебя под нагрузкой на выходе генератора появляются искажения и соот. паразитные колебания, т.е. наоборот, чем на рис. Вот тебе и ответ на твой вопрос. Добавлено: Mon May 07, 2012 1:05 pm
|
Так это под нагрузкой, или голый ген на 555 такой сигнал дает? Добавлено: Mon May 07, 2012 7:30 pm |
[Денис] смотри сигнал на прошлой стр., там и так и так есть. На ХХ искажений практически нет. Добавлено: Mon May 07, 2012 9:08 pm |
Да, neon прав. Помехи появляются при нагрузке. Добавлено: Mon May 07, 2012 9:10 pm |
Итак, я нашел проблему, но не знаю, как её решить. Подключил двухканальный режим на осциллографе и ужаснулся. Смотрите сам и поймете. Теперь вопрос, от чего зависит длительность "колокольчика" ? В какую сторону думать? Добавлено: Tue May 08, 2012 7:17 pm
|
|
Лицензионное соглашение (c)Flyback.org.ru Российское общество любителей высоких напряжений. Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации. |
