Ну я вот тоже подумал, херли толку сравнивать ВАХ если один много шустрее  Или не ? Кав как думаешь ?
Просто у них особенно во второй части виден хороший подход ... Немогут же они так ошибаться ... Добавлено: Tue Aug 02, 2011 4:26 am |
Ну я вот тоже подумал, херли толку сравнивать ВАХ если один много шустрее Или не ? Кав как думаешь ?
Просто у них особенно во второй части виден хороший подход ... Немогут же они так ошибаться ... Добавлено: Tue Aug 02, 2011 4:26 am |
Не могут, и не ошибаюся. Таки, что это будет?7 Добавлено: Tue Aug 02, 2011 4:27 am |
ivasi писал(а): http://www.icct.ru/Practicality/Papers/05-07-2010/Invertor-02.php Вот от сюда эта сборка-ключ. Для индукционной плавки. Уже есть и работает. Просто тут долго Кав говорил про разные ВАХ и что все сожрет таки диод транзистора. Так вот имеет же тут значение быстродействие сравниваемых диодов или нет ? Добавлено: Tue Aug 02, 2011 4:45 am |
Я не понимаю, почему более медленный диод транзистора все сожрет. Кав зря не говорит, хотелось бы его послушать. Ставят шустрые и мощные диоды повсюду..в сток-исток и коллектор-эмиттер. Добавлено: Tue Aug 02, 2011 4:52 am |
Ну как же почему... Медленный он только при "закрывании". Открываются диоды очень быстро - и время это в большей степени ограничено индуктивностью подводящих проводников к кристаллу 
Откроется первым (и единственным, скорее всего) тот диод, у которого прямое падение напряжения меньше. Второй диод в этом случае (если, конечно, при некотором токе он не откроется из-за повышения падения на открытом - тогда было бы распараллеливание тока по двум диодам) вообще будет закрыт, и никакой роли не сыграет (окромя лишней ёмкости, разве что )
Восстановление запирающих свойств происходит лишь в том диоде, который был открыт - и тут уже можно говорить о "быстроте" диода. Добавлено: Tue Aug 02, 2011 10:42 am |
KaV писал(а): Евгений Светницкий, VAL ZoneRR уже всё разъяснил, за что и спасибо. Обычным ультрафастом шунтировать диод MOSFET'а бесполезно и быстродействие тут не при чём. Наличие диода в вышеупомянутой конструкции склонен объяснить отсутствием у её авторов информации об этих нюансах. Формально можно найти ультрафаст с более "левой" ВАХ, нежели у технологического диода, но он будет отнюдь не дешёвым и не вольтистым. Примеры: 60APU04, "сварочный" 150EBU04. VAL > Ставят шустрые и мощные диоды повсюду..в сток-исток и коллектор-эмиттер. Если не затруднит и окажется не слишком далеко - покажи схему какого-нибудь узла с mosfet, спараллеленным с ultrafast-диодом. Жутко интересно. Шоттки, биполярники и IGBT, разумеется, не в счёт. TO KaV- Встречал такое в схемах ЛСД ТВ. Как только найду, конечно покажу. Добавлено: Tue Aug 02, 2011 4:23 pm |
То KaV-Вот прям сейчас нашел блок, где два запараллеленых фета FQB6N60 и между сток-исток диод 61FC4. Это то, что под руку попалось. Схемы блока у меня нет, фотик принесу. Можете верить на слово. И это не первый случай. Поэтому у меня такое мнение и сложилось. Далее..на этом же блоке такой же фет обвязан по всем правилам двумя ультрафастами ES1G и 61FC4. Шоттки нет. Добавлено: Tue Aug 02, 2011 11:20 pm |
VAL Чудн́о. Вот наложенные ВАХ, у фета левее. Жутко интересно выяснить причину несоответствия теории практике. Ну и признать какую-то одну из них ущербной Добавлено: Wed Aug 03, 2011 2:36 am
|
Да, очевидно...но тем не менее.  А это то, что я хотел показать, и этого полно. Пожалуйста! Схемы нет, блок нашел на мусорке.Добавлено: Wed Aug 03, 2011 2:47 am
|
Истоки с анодом соединены напрямую через внутренний слой? При этом он же является силовой "землёй"? Не понимаю причину такой установки диода. Если встретишь в принципиальной схеме - будь добр, покажи тоже. Добавлено: Thu Aug 04, 2011 10:20 pm |
Да, через внутренний слой, последний, для этого я сфоткал обратную сторону. Это от телека блок. Шурик с ними работает. У меня ДВД и усилители. У меня схем телеков нет. Я шакалю на мусорке и себе запчасти ковыряю. Добавлено: Thu Aug 04, 2011 10:30 pm |
Мне кажется что диод стоит для защиты от перенапряжения на выходе, при напряжениях ниже максимального для мосфета, как, например, в этой схеме Добавлено: Thu Aug 04, 2011 11:22 pm
|
Здесь то понятно. А я в явных полумостах УФ диоды видел. Как назло, когда надо- не попадаются. Короче, увижу-сфоткаю. Добавлено: Thu Aug 04, 2011 11:35 pm |
ivasi В твоём случае стоит шоттки в помощь синхронному выпрямителю. От перенапряжения - сомнительно, диод 61FC4 в примере VAL'a не заявлен как лавинный и его параметры в этом режиме не указаны. Добавлено: Thu Aug 04, 2011 11:40 pm |
Вот что нарыл: FRED: Fast Recovery Epitaxial Diode (include very fast and ultrafast). In reality the forward voltage is not a single value, but a function of temperature and current. Take the values from the detailed characteristics (Fig.  ! Your aim is higher current on the diode then on the FET, so you should look at for example 10 amperes, and a realistic 60 C, so Vf of body diode will be around 0.65 V. And on the ultrafast diode you need for example 30 A to be efficient, and with this high current the voltage is unspecified, but probably more then 1.25 V.
Actually the situation is more complicated, because the channel of the FET also conducts, increases the current on the FET. This doesn't store charge, but when you turn off the FET, this current immediately goes to the body diode, and starts to store charge. If dead time is extremely short, then the stored charge won't be too much, but this is not typical. http://www.diyaudio.com/forums/class-d/176190-p...rallel-diode.html Добавлено: Fri Aug 05, 2011 12:00 am |
Он говорит о той же разнице в ВАХ. Выше есть более полезный комментарий: If current loop of FRED is significantly smaller than the FET's, then it can work, but you must keep the FET's loop small also to keep turn off peak voltage small! Смысл: если индуктивность в цепи ультрафаста окажется существенно меньшей таковой в цепи фета, то через ультрафаст будет проходить ток до тех пор, пока напряжение на индуктивности будет больше разницы ВАХ. Но и добавлять лишнюю индуктивность фету малополезно - получим выбросы при быстрой коммутации. Добавлено: Fri Aug 05, 2011 12:19 am |
Сори за некропостинг, но всё же насколько необходима обвязка для мосфетов? Есть некие измышления на сей повод, если увеличить дедтайм до значения превышающего время обратного восстановления встроенных диодов. Для гарантированного закрытия диодов. Или же на оборот сократить дедтайм до минимального значения, дабы они вообще не успевали открываться. Так же разговор идёт о низкой частоте до 30 кгц. Понятно, что для высоких частот тесел данная обвязка необходима. Если где то над этим вопросом был поставлен окончательный вердикт. Прошу ткнунуть пальцем. Шарил по нету на большинстве страниц, либо реклама современных бтиз либо, что эти же бтиз лучше мофетов. Добавлено: Tue Jan 11, 2022 3:57 pm |
Александр писал(а): Или же на оборот сократить дедтайм до минимального значения, дабы они вообще не успевали открываться. Ну так тоже плохо, просто если нагрузка силовой трансформатор или дроссель, и их индуктивность набрала ток, она же куда то должна деть энергию. Да и это не совсем диод, он больше как паразитный элемент при производстве. Я бы все равно ставил параллельно UF диод. Посмотри: https://bsvi.ru/mosfet-i-bolshaya-dvdsdt/ Добавлено: Tue Jan 11, 2022 4:12 pm |
Благодарю GRoza, посмотрю. Добавлено: Tue Jan 11, 2022 6:56 pm |
Доброго всем настроения. Если сдвоенный диод шотки имеет общий катод, то изолировать его прокладкой от стока мосфета не надо. Изолируем только ультрафаст, все трое сидят на одном радиаторе. Кд636ес и hfa8tb60 пойдут на обвязку irfp360(460)? Добавлено: Tue Feb 15, 2022 8:38 pm |
Общий катод - это для двухполупериодного выпрямителя, два диода соединённые в одну точку, выход из точки плюсовой. Если ты хочешь пушпул шоттками обвязать, то тебе понадобится сборка с общим анодом, которых походу вообще не выпускают. ХЗ, почему, вот если мне надо импульсник с двуполярным выходом для усилка??? Короч, по одной диодной сборке на один транзистор. Добавлено: Wed Feb 16, 2022 7:11 am |
Благодарю Электромонтёр, я забыл написать, что это обвязка фетов для полумоста по высокой стороне. Мне интересно хватит Кд636ес у него 2 диода по 15 ампер. В обвязке по одному корпусу аноды соединены а общий катод к стоку irfp360 и всю эту сборку охватывает hfa08tb60, которого хватит по току? Просто есть ещё импортные сборки шотки на 40а. Посмотрел я даташит на них и это вогнало меня в ступор, там написано рабочая частота 60hz. Как их ставят в выпрямители импульсных блоков питания? Где частота 30 кГц? И соответственно как ими обвязывать тяжёлые феты, типа irfps40n60k? (эта сборочка на будущее, там ещё в обвязку пойдут hfa25tb60) Добавлено: Wed Feb 16, 2022 8:33 am |
А какая цель этой обвязки? На практике такое обычно не применяют, потому как вряд ли удастся что-то ощутимо выиграть. Потери проводимости на диоде сожрут весь профит, в итоге проще ключи толще поставить, чем городить эту этажерку. ПМСМ. Добавлено: Wed Feb 16, 2022 8:38 am |
N1X Вы правы в том, что можно поставить кирпич но только он должен быть БТИЗ со встроеным ультрафастом. Их пока нет в наличии. А эта обвязка исключает из работы медленный технологический диод фета. Есть в наличии ещё более тяжёлые irfps40n60k. Которым тоже нужна обвязка. Вот я тоже хочу понять до какой рабочей частоты эту обвязку можно не ставить? Везде говорят по разному. Или как её вычислить на основе данных даташита. Например время закрытия этого диода 1микросекунда к примеру соответственно рабочая частота полумоста (1/(Toff+DT)) гц Добавлено: Wed Feb 16, 2022 8:51 am |
Посмотреть как в пром оборудовании сделано, например сварочники не совсем китайские. Добавлено: Wed Feb 16, 2022 9:22 am |
|
Лицензионное соглашение (c)Flyback.org.ru Российское общество любителей высоких напряжений. Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации. |
