Я тоже пользую 15 вольт кренки, транзюки определённо меньше греются и сигнал прямее, ИМХО: Тяжёлым затворам, более 4нан, 12 вольтей не хватает, да и со всеми потерями там 10 с небольшим получается при 12 вольтной кренке. (Прошу прощения, не по даташитам идея возникла, интуиция или ещё какое чувство) Добавлено: Sat Jun 02, 2007 3:07 am |
Добавлю своё ИМХО. У игбт основная часть потерь при переключении приходится на, так называемый, хвост при закрытии, возникающий из-за медленного рассасываяня носителей тока в базе биполярного транзистора, повлиять на это внешне нельзя, следовательно на сравнительно высоких частотах 100-150 кгц (макс для игбт котрые у меня есть) выгоднее не снижать потери при включении и полностью открытом ключе, а использоать игбт на макс частоте с минимальным хвостом. Если частоты взять поменьше (до 60кгц), можно просто использовать игбт с меньшим напряжением насыщения(1.7В вместо 2.3В). И если я не ошибаюсь смысл в очень крутом фронте у игбт нету, они открываются почти сразу после достижения Gtreshold (3-6В). Добавлено: Sat Jun 02, 2007 8:45 pm |
Начинаю эксперименты... потом в этот пост впихну результаты. Испытуемые - IGBT FGL40N150D, феты - P3020L, IRF630, IRF740, IRFZ44E, IRFP064N. Испытываю на постоянке, ток - 5А. ................................................... Результаты. Сразу оговорюсь, что IRF630 и IRF740 не были испытаны ввиду их очень сильного нагрева при токе в 5А. Если сильно захочется, могу переделать стабилизацию на 1а. Температура корпуса остальных испытуемых оставалась постоянной во время измерений (40С +/- 2С). Методика измерений: для всех фетов ток (5А) поддерживался стабилизатором. Для igbt ток КЗ установил на 5А, после подключения транза не контролировал. На затворы напруга подавалась со стабилизированного БП. Диаппазон - 10-31 В. Также измерялось падение напруги на фете. В таблице для igbt это Вольты.мВольты, для фетов - милливольты и их доли. Последний раз редактировалось: KaV (Sun Jun 03, 2007 8:36 pm), всего редактировалось 3 раз(а) Добавлено: Sat Jun 02, 2007 9:34 pm
|
2 KaV: Ты просто хочешь поднять напругу на затворах до 15-18 вольт или реальный овервольтаж проверить ??? ИМХО: Для IGBT FGL40N150D тебе потребуется амплитуда вольт 35, а то и больше, да и для IRF740 вольт 25 потребуется, чем драйвить собираешься ??? Добавлено: Sun Jun 03, 2007 3:23 am |
Шурик, я понимаю, что ты ожидал работу транзов в режиме переключения. Но тогда измерения надо проводить по выделяемой тепловой мощности и гораздо более точными приборами. поэтомц я просто снял ВАХ (ну почти) транзов при плавном повышении затворного до 31в. Дальше поднимать опасаюсь, т.к. транзы за свои кровные куплены. То, что транзы будут меньше греться на больших частотах при задирании затворного - дело ясное. Но сам факт подачи повышенной напруги на затворы в "статическом" режиме не выявил аномалий. Может быть, я плохо искал? Николай, прими участие в обсуждении, ты же первым экспериментатором в этой области был! Добавлено: Sun Jun 03, 2007 9:28 am |
KaV Если не сложно - построй плз графики. По оси X напряжение на затворе, по оси Y напряжение на канале. Если сложно - выложи табличку в текстовом виде (или еще каком, кроме графического) - я в excel-е построю. А то на цифры не очень удобно глядеть. Добавлено: Sun Jun 03, 2007 11:55 am |
Если сложно - выложи табличку в текстовом виде - обижаешь 
Вот график. Для FGL40N150D график представляет падение напруги, разделённое на 10. Прошлую таблицу я подправил, тама глюк в конце был. Добавлено: Sun Jun 03, 2007 1:38 pm
|
М-даа... Выходит особого смысла в овервольтаже FGL40N150D нет. :? Добавлено: Sun Jun 03, 2007 2:39 pm |
Нда... Получается, что и выше 20В поднимать - тоже существенной необходимости нет. :? KaV, респект тебе за проведенные исследования! Добавлено: Sun Jun 03, 2007 4:11 pm |
Всегда пожалуйста
Ну да, 20В - разумный максимум. Однако что же скажет Николай ? Добавлено: Sun Jun 03, 2007 4:57 pm |
2 KaV: +1 Респект. ИМХО: Значит для каждого типа фетофф, всё таки имеет смысл, в некоторых случаях, подобрать оптимальное значение, а с IGBT никакого смысла нету. ИМХО: Предложение: Не выкладывать результаты экспериментов в своих предыдущих постах, а то последующие вопросы непонятными получаются, путаница какая-то. Получилось, что я задал вопрос после получения на ответа. И ещё, думаю тема должна занять своё место на форуме не в курилке, имхо, вполне дельные наблюдения. Добавлено: Sun Jun 03, 2007 8:29 pm |
Тема в курилке временно, пока закрыты на чистку и профилактику профильные разделы... Добавлено: Mon Jun 04, 2007 12:39 pm |
Переместил обратно Добавлено: Thu Jun 21, 2007 11:08 pm |
Народ, а ктонить реально драйвит ИГБТ на больше чем +/-20? Чем овервольтаж ограничивается, пробивным напряжением затвора, али ещё какой пакостью? Последний раз редактировалось: Игнат (Thu Feb 18, 2010 12:02 am), всего редактировалось 1 раз Добавлено: Wed Feb 17, 2010 11:46 pm |
Пробивным напряжением затвора точно ограничивается. Добавлено: Wed Feb 17, 2010 11:56 pm |
Буржуи драйвили вроде до 29В. Добавлено: Thu Feb 18, 2010 12:19 am |
Тада ещё вопрос, драйвили в постоянном режиме или это только с интеррупрером допускается? Добавлено: Thu Feb 18, 2010 3:33 pm |
Да какая нахуй разница, пробой затвора, ровно как и диода шоттки НЕОБРАТИМ. Добавлено: Thu Feb 18, 2010 4:24 pm |
Просто в даташите указано Gate to Emitter Voltage Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGES ±20 V Gate to Emitter Voltage Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGEM ±30 V Вот меня и озадачило, можно ли таким транзистором рулить ±25V в постоянном режиме Добавлено: Thu Feb 18, 2010 5:50 pm |
а нафига? Добавлено: Thu Feb 18, 2010 6:53 pm |
Игнат писал(а): Просто в даташите указано Gate to Emitter Voltage Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGES ±20 V Gate to Emitter Voltage Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGEM ±30 V Вот меня и озадачило, можно ли таким транзистором рулить ±25V в постоянном режиме А в примечаниях длительность импульса указана? Добавлено: Thu Feb 18, 2010 8:01 pm |
А зачем? У IGBT при увеличении напряжения на затворе канал "шире" не станет. Это только справедливо для фетов. Ты этим только максимальный ток возможно увеличишь (ток базы будет больше). Зато возрастает нагрузка на полевик внутри и риск угробить транзистор. Добавлено: Thu Feb 18, 2010 9:59 pm |
Всё, разобрался, спасибо Скайвариору. В датошите сказано - ни в коем случае не превышать Vgem. Добавлено: Thu Feb 18, 2010 11:05 pm |
AMPGamer> У IGBT при увеличении напряжения на затворе канал "шире" не станет. Угу, но способность коммутировать сравнительно большие импульсные токи улучшится. Добавлено: Fri Feb 19, 2010 8:53 pm |
KaV, верно я как раз об этом и писал. Только вот еще и возрастет риск угробить транзистор. Добавлено: Fri Feb 19, 2010 8:59 pm |
|
Лицензионное соглашение (c)Flyback.org.ru Российское общество любителей высоких напряжений. Использование материалов с данного сайта и форума возможно только с разрешения администрации. |
